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    最新行動記憶體規格LPDDR4出爐

    發表時間:
    JEDEC固態技術協會(Solid State Technology Association)日前公布新一代行動記憶體規格 JESD209-4 LPDDR4,號稱其速度是前一代LPDDR3的兩倍。


    根據該協會發布的新聞稿, LPDDR4 由 LPDDR3 的單通道架構升級為雙通道、每通道16位元,總位元寬度達到32位元; LPDDR4 的I/O資料傳輸速率為3200 MT/s,總運作速率為4266 MT/s ,是LPDDR3運作速率2133 MT/s的兩倍。


    而因為採用雙通道架構,降低了記憶體陣列到I/O接合墊(bond pads)之間資料訊號傳遞距離,因此新規格也能達到更低的功耗。


    JEDEC理事會主席Mian Quddus 在新聞稿中表示,LPDDR4規格在性能上有大幅的提升:「是為了迎合全球最先進行動系統對功耗、頻寬、封裝、成本以及相容性方面的需求。」


    新規格重點如下:


    ˙雙通道架構;

    ˙提供CA與DQ的內部參考電壓(Internal Vref);

    ˙資料匯流反轉(Data Bus Inversion,DBI-DC);

    ˙CA與DQ內部終端電阻(ODT);

    ˙I/O吞吐量3200 MT/s、最大可達4266 MT/s;

    ˙信令電壓(Signaling voltage):367mV~440mV;

    ˙運作電壓:1.1V;

    ˙預先擷取(Pre-fetch)容量:每通道32B;

    ˙拓樸:點對點、PoP、MCP;

    ˙最大I/O電容:1.3pF;

    ˙寫入均衡(Write leveling);

    ˙6接腳(雙通道12接腳) SDR CA匯流排,具備調馴功能(CA training);

    ˙與前幾代低功耗DRAM規格相同,LPDDR4不需要DLL與PLL。


    其他詳細資訊請參考JDEC官網:http://www.jedec.org。


    編譯:Judith Cheng


    (參考原文: JEDEC Unveils Low-Power Memory Standard)