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    硬碟再戰十年,磁錄密度新突破容量飆上 100TB

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    安安 發表於 2014年11月29日 09:00 收藏此文

    日前 Intel 宣布要在 2 年內靠 3D 堆疊技術快閃記憶體,推出容量超過 10TB 以上的固態硬碟,此舉將大幅超越硬碟以往的容量優勢。不過 ASTC 最新報告指出,硬碟透過新磁錄技術加持,未來將可以推出 100TB 容量的硬碟。 

    現在的硬碟靠著疊瓦式磁紀錄(Shingled Magnetic Recording,SMR),與氦氣密封充填技術,能使單碟容量上達到 1.25TB,並在同樣的空間內置入更多碟片,明年內要普及 10TB 絕非難事。硬碟的發展不會停在這個階段,還有很多的技術可以再度提升容量,在先進儲存技術協會(Advanced Storage Technology Consortium,ASTC)的磁錄技術規劃中,顯示出在 2025 年內容量可上看 100TB。

    ▲ASTC 的磁錄技術規畫藍圖,2025 年磁錄密度上看 10Tb/in

    目前 Seagate 的 8TB 企業級硬碟就宣稱是使用 SMR 技術,另外 WD 收購 Hitachi 後也使用氦氣密封與 SMR 技術,推出 8TB 與 10TB 企業硬碟。但是 SMR 能增加的磁錄密度有限,而氦氣密封也有一定侷限性,要再增加硬碟容量勢必要使用新的磁錄技術。

    ▲氦氣封裝硬碟可以置入更多的碟片。(資料來源:computerworld)

    ASTC 的藍圖中,將 SMR 與氦氣充填技術結合的發展路徑,設定在 2015 到 2017 年間。接替 SMR 的磁紀錄技術為熱輔助式磁紀錄(Heat Assisted Magnetic Recording,HAMR)。另外 Plus 記號是代表新技術應用期間,會與前世代技術合併的發展期,藍圖中 HARM+ 就是指 HARM 與 SMR 技術合併發展的意思。

    HARM 技術是利用雷射加熱,讓磁盤可以產生磁性的單位面積變得更小,因為提高溫度可以縮小磁性顆粒產生超順磁性(Superparamagnetism)的臨界大小,藉以提升碟片在單位面積中的讀寫密度。HARM 技術是在 2006 年由 Fujitsu 率先提出,但是 HARM 需使用到類似鉑鐵合金之類的高磁性穩定材質,未來如果有更好的材質來做碟片,HARM 技術就能更加普及。

    Seagate 計畫在 2016 年推出 HARM 硬碟,目標在 2020 年使用 HARM 技術,生產 20TB 產品,上個月 Seagate 在北愛爾蘭投資 550 億美金來研發 HARM 技術。SRM 磁錄技術的密度目前上限最多到達 1Tb/inch,而 HARM 則有機會達到 5Tb/inch

    ▲Seagate 推出的 HARM 硬碟原型機。(資料來源:computerworld

    HARM 磁紀錄技術發展在 ASTC 的藍圖中,一直到了 2021 年,會有另一個叫位元規則媒介紀錄(Bit Pattern Media Recording,BPMR)的技術與它結合,成為熱輔助點陣磁紀錄(Heated Dot Magnetic Recording,HDMR)技術。

    BPMR 是 HGST 預計要在 2021 年採用,利用奈米光刻(Nanolithography)的方式,把碟片的磁性顆粒切割得更小,達到不會產生超順磁性的臨界範圍。BPMR 結合 HARM 技術,成為 HDMR 磁錄技術後,要將 5Tb/inch2 磁錄密度提升到 10Tb/inch2 也不難實現了。所以依照 ASTC 規劃的藍圖來看,2015 若能推出 10TB 硬碟,到了 2025 年要推出 100TB 也不會是問題。